Готовые работы → Физика
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕНОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ОБРАТНОГО ТОКА ДИОДА (лаб.8)
2004
Важно! При покупке готовой работы
04-0586(1)
сообщайте Администратору код работы:
Содержание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью данной работы является исследование температурной зависимости обратного тока стандартного диода и определение ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлен диод.
2. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА
3. ОСНОВНЫЕ РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ
4. РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.
5. ВЫВОДЫ
6. 0ТВЕТЫ НА КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ.
6.1 В кристаллах зоны энергии подразделяются на
6.2 Понятие дырка с точки зрения зонной теории объясняется следующим образом.
6.3. Уровень энергии, равный электрохомическому потенциалу называют
6.4 Электронная проводимость, т.е. проводимость n типа возникает при
6.5. Электропроводность в полупроводниках возможна только при
6.7 Обратный ток полупроводникового диода обусловлен
6.8. В запорном направлении